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Roux, J.F., Schuttler, R. (1971) Conductivité dûe à une bande d'impuretés dans le silicium. Journal de Physique, 32. 177-183 doi:10.1051/jphys:01971003202-3017700

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Reference TypeJournal (article/letter/editorial)
TitleConductivité dûe à une bande d'impuretés dans le silicium
JournalJournal de Physique
AuthorsRoux, J.F.Author
Schuttler, R.Author
Year1971Volume32
PublisherEDP Sciences
DOIdoi:10.1051/jphys:01971003202-3017700Search in ResearchGate
Generate Citation Formats
Mindat Ref. ID10408055Long-form Identifiermindat:1:5:10408055:1
GUID0
Full ReferenceRoux, J.F., Schuttler, R. (1971) Conductivité dûe à une bande d'impuretés dans le silicium. Journal de Physique, 32. 177-183 doi:10.1051/jphys:01971003202-3017700
Plain TextRoux, J.F., Schuttler, R. (1971) Conductivité dûe à une bande d'impuretés dans le silicium. Journal de Physique, 32. 177-183 doi:10.1051/jphys:01971003202-3017700
In(n.d.) Journal de Physique Vol. 32. EDP Sciences

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