Lang, J., Xu, F. J., Ge, W. K., Liu, B. Y., Zhang, N., Sun, Y. H., Wang, M. X., Xie, N., Fang, X. Z., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2019) High performance of AlGaN deep-ultraviolet light emitting diodes due to improved vertical carrier transport by delta-accelerating quantum barriers. Applied Physics Letters, 114 (17). 172105pp. doi:10.1063/1.5093160

Library Home Bookshelves View by Type Using Search

Books Catalogs/Sales Lists Journals Reports Thesis/Dissertation

Search for Books Search for Journals Manage Subjects Statistics Books without DDC/LCC Top Unstructured Orphaned Articles

Bookshelves (DDC layout)Bookshelves (LCC layout)Latest Books

Advanced

Search inside 'Applied Physics ...' only

- Only viewable:

Reference Type	Journal (article/letter/editorial)
Title	High performance of AlGaN deep-ultraviolet light emitting diodes due to improved vertical carrier transport by delta-accelerating quantum barriers
Journal	Applied Physics Letters
Authors	Lang, J.		Author
	Xu, F. J.		Author
	Ge, W. K.		Author
	Liu, B. Y.		Author
	Zhang, N.		Author
	Sun, Y. H.		Author
	Wang, M. X.		Author
	Xie, N.		Author
	Fang, X. Z.		Author
	Kang, X. N.		Author
	Qin, Z. X.		Author
	Yang, X. L.		Author
	Wang, X. Q.		Author
	Shen, B.		Author
Year	2019 (April 29)	Volume	114
Issue	17
Publisher	AIP Publishing
DOI	doi:10.1063/1.5093160Search in ResearchGate
	Generate Citation Formats
Mindat Ref. ID	8656469	Long-form Identifier	mindat:1:5:8656469:4
GUID	0
Full Reference	Lang, J., Xu, F. J., Ge, W. K., Liu, B. Y., Zhang, N., Sun, Y. H., Wang, M. X., Xie, N., Fang, X. Z., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2019) High performance of AlGaN deep-ultraviolet light emitting diodes due to improved vertical carrier transport by delta-accelerating quantum barriers. Applied Physics Letters, 114 (17). 172105pp. doi:10.1063/1.5093160
Plain Text	Lang, J., Xu, F. J., Ge, W. K., Liu, B. Y., Zhang, N., Sun, Y. H., Wang, M. X., Xie, N., Fang, X. Z., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2019) High performance of AlGaN deep-ultraviolet light emitting diodes due to improved vertical carrier transport by delta-accelerating quantum barriers. Applied Physics Letters, 114 (17). 172105pp. doi:10.1063/1.5093160
In	(2019, April) Applied Physics Letters Vol. 114 (17) AIP Publishing

	Lang, J., Xu, F. J., Sun, Y. H., Zhang, N., Wang, J. M., Liu, B. Y., Wang, L. B., Xie, N., Fang, X. Z., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Ge, W. K., Shen, B. (2021) Carrier Velocity Modulation by Asymmetrical Concave Quantum Barriers to Improve the Performance of AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes. IEEE Photonics Journal, 13 (1) 1-8 doi:10.1109/jphot.2020.3047846
	Sun, Y. H., Xu, F. J., Xie, N., Wang, J. M., Zhang, N., Lang, J., Liu, B. Y., Fang, X. Z., Wang, L. B., Ge, W. K., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2020) Controlled bunching approach for achieving high efficiency active region in AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting devices with dual-band emission. Applied Physics Letters, 116 (21) 212102pp. doi:10.1063/5.0008339
	Wang, M. X., Xu, F. J., Wang, J. M., Xie, N., Sun, Y. H., Liu, B. Y., Lang, J., Zhang, N., Ge, W. K., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2019) The sapphire substrate pretreatment effects on high-temperature annealed AlN templates in deep ultraviolet light emitting diodes. CrystEngComm, 21. 4632-4636 doi:10.1039/c9ce00702d
	Zhang, N., Xu, F. J., Lang, J., Wang, L. B., Wang, J. M., Liu, B. Y., Fang, X. Z., Yang, X. L., Kang, X. N., Wang, X. Q., Qin, Z. X., Ge, W. K., Shen, B. (2021) Improved Ohmic contacts to plasma etched high Al fraction n-AlGaN by active surface pretreatment. Applied Physics Letters, 118 (22) 222101pp. doi:10.1063/5.0042621
	Lang, J., Xu, F. J., Wang, J. M., Zhang, L. S., Ji, C., Guo, X. Q., Ji, C. Z., Zhang, Z. Y., Tan, F. Y., Fang, X. Z., Kang, X. N., Yang, X. L., Tang, N., Wang, X. Q., Ge, W. K., Shen, B. (2023) On the integrated p-type region free of electron blocking layer for AlGaN-based deep-ultraviolet light emitting diodes. Applied Physics Letters, 123 (26) doi:10.1063/5.0175872
	Lang, J., Xu, F. J., Wang, J. M., Zhang, L. S., Sun, Z. H., Zhang, H. D., Guo, X. Q., Zhang, Z. Y., Ji, C., Tan, F. Y., Ji, C. Z., Kang, X. N., Yang, X. L., Tang, N., Chen, Z. Z., Wang, X. Q., Ge, W. K., Shen, B. (2024) The composited high reflectivity p-type electrodes with patterned ITO for AlGaN-based ultraviolet light emitting diodes. Applied Physics Letters, 125 (1) doi:10.1063/5.0216179
	Wang, M. X., Xu, F. J., Xie, N., Sun, Y. H., Liu, B. Y., Ge, W. K., Kang, X. N., Qin, Z. X., Yang, X. L., Wang, X. Q., Shen, B. (2019) High-temperature annealing induced evolution of strain in AlN epitaxial films grown on sapphire substrates. Applied Physics Letters, 114 (11). 112105pp. doi:10.1063/1.5087547
	Guo, X. Q., Xu, F. J., Lang, J., Wang, J. M., Zhang, L. S., Zhang, Z. Y., Ji, C., Tan, F. Y., Ji, C. Z., Wu, Y., Kang, X. N., Tang, N., Wang, X. Q., Qin, Z. X., Ge, W. K., Shen, B. (2024) Influence of the barrier layer on the electrical properties of the V/Al-based Ohmic contact on n-type high-Al-fraction AlGaN. Applied Physics Letters, 124 (23) doi:10.1063/5.0208669
	Ablikim, M., Bai, J. Z., Ban, Y., Bian, J. G., Cai, X., Chen, H. F., Chen, H. S., Chen, H. X., Chen, J. C., Chen, Jin, Chen, Y. B., Chi, S. P., Chu, Y. P., Cui, X. Z., Dai, Y. S., Diao, L. Y., Deng, Z. Y., Dong, Q. F., Du, S. X., Fang, J., Fang, S. S., Fu, C. D., Gao, C. S., Gao, Y. N., Gu, S. D., Gu, Y. T., Guo, Y. N., Guo, Y. Q., Guo, Z. J., Harris, F. A., He, K. L., He, M., Heng, Y. K., Hu, H. M., Hu, T., Huang, G. S., Huang, X. T., Ji, X. B., Jiang, X. S., Jiang, X. Y., Jiao, J. B., Jin, D. P., Jin, S., Jin, Yi, Lai, Y. F., Li, G., Li, H. B., Li, H. H., Li, J., Li, R. Y., Li, S. M., Li, W. D., Li, W. G., Li, X. L., Li, X. N., Li, X. Q., Li, Y. L., Liang, Y. F., Liao, H. B., Liu, B. J., Liu, C. X., Liu, F., Liu, Fang, Liu, H. H., Liu, H. M., Liu, J., Liu, J. B., Liu, J. P., Liu, Q., Liu, R. G., Liu, Z. A., Lou, Y. C., Lu, F., Lu, G. R., Lu, J. G., Luo, C. L., Ma, F. C., Ma, H. L., Ma, L. L., Ma, Q. M., Ma, X. B., Mao, Z. P., Mo, X. H., Nie, J., Olsen, S. L., Peng, H. P., Ping, R. G., Qi, N. D., Qin, H., Qiu, J. F., Ren, Z. Y., Rong, G., Shan, L. Y., Shang, L., Shen, C. P., Shen, D. L., Shen, X. Y., Sheng, H. Y., Sun, H. S., Sun, J. F., Sun, S. S., Sun, Y. Z., Sun, Z. J., Tan, Z. Q., Tang, X., Tong, G. L., Varner, G. S., Wang, D. Y., Wang, L., Wang, L. L., Wang, L. S., Wang, M., Wang, P., Wang, P. L., Wang, W. F., Wang, Y. F., Wang, Z., Wang, Z. Y., Wang, Zhe, Wang, Zheng, Wei, C. L., Wei, D. H., Wu, N., Xia, X. M., Xie, X. X., Xu, G. F., Xu, X. P., Xu, Y., Yan, M. L., Yang, H. X., Yang, Y. X., Ye, M. H., Ye, Y. X., Yi, Z. Y., Yu, G. W., Yuan, C. Z., Yuan, J. M., Yuan, Y., Zang, S. L., Zeng, Y., Zeng, Yu, Zhang, B. X., Zhang, B. Y., Zhang, C. C., Zhang, D. H., Zhang, H. Q., Zhang, H. Y., Zhang, J. W., Zhang, J. Y., Zhang, S. H., Zhang, X. M., Zhang, X. Y., Zhang, Yiyun, Zhang, Z. P., Zhao, D. X., Zhao, J. W., Zhao, M. G., Zhao, P. P., Zhao, W. R., Zhao, Z. G., Zheng, H. Q., Zheng, J. P., Zheng, Z. P., Zhou, L., Zhou, N. F., Zhu, K. J., Zhu, Q. M., Zhu, Y. C., Zhu,
	Ablikim, M., Bai, J. Z., Ban, Y., Bian, J. G., Cai, X., Chen, H. F., Chen, H. S., Chen, H. X., Chen, J. C., Chen, Jin, Chen, Y. B., Chi, S. P., Chu, Y. P., Cui, X. Z., Dai, Y. S., Diao, L. Y., Deng, Z. Y., Dong, Q. F., Du, S. X., Fang, J., Fang, S. S., Fu, C. D., Gao, C. S., Gao, Y. N., Gu, S. D., Gu, Y. T., Guo, Y. N., Guo, Y. Q., Guo, Z. J., Harris, F. A., He, K. L., He, M., Heng, Y. K., Hu, H. M., Hu, T., Huang, G. S., Huang, X. T., Ji, X. B., Jiang, X. S., Jiang, X. Y., Jiao, J. B., Jin, D. P., Jin, S., Jin, Yi, Lai, Y. F., Li, G., Li, H. B., Li, H. H., Li, J., Li, R. Y., Li, S. M., Li, W. D., Li, W. G., Li, X. L., Li, X. N., Li, X. Q., Li, Y. L., Liang, Y. F., Liao, H. B., Liu, B. J., Liu, C. X., Liu, F., Liu, Fang, Liu, H. H., Liu, H. M., Liu, J., Liu, J. B., Liu, J. P., Liu, Q., Liu, R. G., Liu, Z. A., Lou, Y. C., Lu, F., Lu, G. R., Lu, J. G., Luo, C. L., Ma, F. C., Ma, H. L., Ma, L. L., Ma, Q. M., Ma, X. B., Mao, Z. P., Mo, X. H., Nie, J., Olsen, S. L., Peng, H. P., Ping, R. G., Qi, N. D., Qin, H., Qiu, J. F., Ren, Z. Y., Rong, G., Shan, L. Y., Shang, L., Shen, C. P., Shen, D. L., Shen, X. Y., Sheng, H. Y., Sun, H. S., Sun, J. F., Sun, S. S., Sun, Y. Z., Sun, Z. J., Tan, Z. Q., Tang, X., Tong, G. L., Varner, G. S., Wang, D. Y., Wang, L., Wang, L. L., Wang, L. S., Wang, M., Wang, P., Wang, P. L., Wang, W. F., Wang, Y. F., Wang, Z., Wang, Z. Y., Wang, Zhe, Wang, Zheng, Wei, C. L., Wei, D. H., Wu, N., Xia, X. M., Xie, X. X., Xu, G. F., Xu, X. P., Xu, Y., Yan, M. L., Yang, H. X., Yang, Y. X., Ye, M. H., Ye, Y. X., Yi, Z. Y., Yu, G. W., Yuan, C. Z., Yuan, J. M., Yuan, Y., Zang, S. L., Zeng, Y., Zeng, Yu, Zhang, B. X., Zhang, B. Y., Zhang, C. C., Zhang, D. H., Zhang, H. Q., Zhang, H. Y., Zhang, J. W., Zhang, J. Y., Zhang, S. H., Zhang, X. M., Zhang, X. Y., Zhang, Yiyun, Zhang, Z. P., Zhao, D. X., Zhao, J. W., Zhao, M. G., Zhao, P. P., Zhao, W. R., Zhao, Z. G., Zheng, H. Q., Zheng, J. P., Zheng, Z. P., Zhou, L., Zhou, N. F., Zhu, K. J., Zhu, Q. M., Zhu, Y. C., Zhu,
	Ablikim, M., Bai, J. Z., Ban, Y., Bian, J. G., Cai, X., Chen, H. F., Chen, H. S., Chen, H. X., Chen, J. C., Chen, Jin, Chen, Y. B., Chi, S. P., Chu, Y. P., Cui, X. Z., Dai, Y. S., Diao, L. Y., Deng, Z. Y., Dong, Q. F., Du, S. X., Fang, J., Fang, S. S., Fu, C. D., Gao, C. S., Gao, Y. N., Gu, S. D., Gu, Y. T., Guo, Y. N., Guo, Y. Q., Guo, Z. J., Harris, F. A., He, K. L., He, M., Heng, Y. K., Hu, H. M., Hu, T., Huang, G. S., Huang, X. T., Ji, X. B., Jiang, X. S., Jiang, X. Y., Jiao, J. B., Jin, D. P., Jin, S., Jin, Yi, Lai, Y. F., Li, G., Li, H. B., Li, H. H., Li, J., Li, R. Y., Li, S. M., Li, W. D., Li, W. G., Li, X. L., Li, X. N., Li, X. Q., Li, Y. L., Liang, Y. F., Liao, H. B., Liu, B. J., Liu, C. X., Liu, F., Liu, Fang, Liu, H. H., Liu, H. M., Liu, J., Liu, J. B., Liu, J. P., Liu, Q., Liu, R. G., Liu, Z. A., Lou, Y. C., Lu, F., Lu, G. R., Lu, J. G., Luo, C. L., Ma, F. C., Ma, H. L., Ma, L. L., Ma, Q. M., Ma, X. B., Mao, Z. P., Mo, X. H., Nie, J., Olsen, S. L., Peng, H. P., Ping, R. G., Qi, N. D., Qin, H., Qiu, J. F., Ren, Z. Y., Rong, G., Shan, L. Y., Shang, L., Shen, C. P., Shen, D. L., Shen, X. Y., Sheng, H. Y., Sun, H. S., Sun, J. F., Sun, S. S., Sun, Y. Z., Sun, Z. J., Tan, Z. Q., Tang, X., Tong, G. L., Varner, G. S., Wang, D. Y., Wang, L., Wang, L. L., Wang, L. S., Wang, M., Wang, P., Wang, P. L., Wang, W. F., Wang, Y. F., Wang, Z., Wang, Z. Y., Wang, Zhe, Wang, Zheng, Wei, C. L., Wei, D. H., Wu, N., Xia, X. M., Xie, X. X., Xu, G. F., Xu, X. P., Xu, Y., Yan, M. L., Yang, H. X., Yang, Y. X., Ye, M. H., Ye, Y. X., Yi, Z. Y., Yu, G. W., Yuan, C. Z., Yuan, J. M., Yuan, Y., Zang, S. L., Zeng, Y., Zeng, Yu, Zhang, B. X., Zhang, B. Y., Zhang, C. C., Zhang, D. H., Zhang, H. Q., Zhang, H. Y., Zhang, J. W., Zhang, J. Y., Zhang, S. H., Zhang, X. M., Zhang, X. Y., Zhang, Yiyun, Zhang, Z. P., Zhao, D. X., Zhao, J. W., Zhao, M. G., Zhao, P. P., Zhao, W. R., Zhao, Z. G., Zheng, H. Q., Zheng, J. P., Zheng, Z. P., Zhou, L., Zhou, N. F., Zhu, K. J., Zhu, Q. M., Zhu, Y. C., Zhu,

Mindat.org is an outreach project of the Hudson Institute of Mineralogy, a 501(c)(3) not-for-profit organization.
Copyright © mindat.org and the Hudson Institute of Mineralogy 1993-2025, except where stated. Most political location boundaries are © OpenStreetMap contributors. Mindat.org relies on the contributions of thousands of members and supporters. Founded in 2000 by Jolyon Ralph.
To cite: Ralph, J., Von Bargen, D., Martynov, P., Zhang, J., Que, X., Prabhu, A., Morrison, S. M., Li, W., Chen, W., & Ma, X. (2025). Mindat.org: The open access mineralogy database to accelerate data-intensive geoscience research. American Mineralogist, 110(6), 833–844. doi:10.2138/am-2024-9486.
Privacy Policy - Terms & Conditions - Contact Us / DMCA issues - Report a bug/vulnerability Current server date and time: September 10, 2025 10:57:35

Go to top of page

See Also