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Quilliet, Andrée, Gosar, Peter (1960) L'effet photovoltaique de surface dans le silicium et son application à la mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires. Journal de Physique et le Radium, 21 (7). 575-578 doi:10.1051/jphysrad:01960002107057500

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Reference TypeJournal (article/letter/editorial)
TitleL'effet photovoltaique de surface dans le silicium et son application à la mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires
JournalJournal de Physique et le Radium
AuthorsQuilliet, AndréeAuthor
Gosar, PeterAuthor
Year1960Volume21
Issue7
PublisherEDP Sciences
DOIdoi:10.1051/jphysrad:01960002107057500
Generate Citation Formats
Mindat Ref. ID7885566Long-form Identifiermindat:1:5:7885566:1
GUID0
Full ReferenceQuilliet, Andrée, Gosar, Peter (1960) L'effet photovoltaique de surface dans le silicium et son application à la mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires. Journal de Physique et le Radium, 21 (7). 575-578 doi:10.1051/jphysrad:01960002107057500
Plain TextQuilliet, Andrée, Gosar, Peter (1960) L'effet photovoltaique de surface dans le silicium et son application à la mesure de la durée de vie des porteurs minoritaires. Journal de Physique et le Radium, 21 (7). 575-578 doi:10.1051/jphysrad:01960002107057500
In(1960) Journal de Physique et le Radium Vol. 21 (7) EDP Sciences

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