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Fortini, André (1962) Influence de la recombinaison en surface sur la loi de décroissance des porteurs minoritaires en excès dans un semiconducteur. Journal de Physique et le Radium, 23 (5). 273-276 doi:10.1051/jphysrad:01962002305027300

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Reference TypeJournal (article/letter/editorial)
TitleInfluence de la recombinaison en surface sur la loi de décroissance des porteurs minoritaires en excès dans un semiconducteur
JournalJournal de Physique et le Radium
AuthorsFortini, AndréAuthor
Year1962Volume23
Issue5
PublisherEDP Sciences
DOIdoi:10.1051/jphysrad:01962002305027300Search in ResearchGate
Generate Citation Formats
Mindat Ref. ID7885965Long-form Identifiermindat:1:5:7885965:8
GUID0
Full ReferenceFortini, André (1962) Influence de la recombinaison en surface sur la loi de décroissance des porteurs minoritaires en excès dans un semiconducteur. Journal de Physique et le Radium, 23 (5). 273-276 doi:10.1051/jphysrad:01962002305027300
Plain TextFortini, André (1962) Influence de la recombinaison en surface sur la loi de décroissance des porteurs minoritaires en excès dans un semiconducteur. Journal de Physique et le Radium, 23 (5). 273-276 doi:10.1051/jphysrad:01962002305027300
In(1962) Journal de Physique et le Radium Vol. 23 (5) EDP Sciences

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